是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.34 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-J40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 26.035 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.75 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C16257C | ISSI |
获取价格 |
4Mb DRAM WITH FAST PAGE MODE | |
IS41C16257C-35TLI-TR | ISSI |
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Fast Page DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, | |
IS41C1664-30T | ICSI |
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64K x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IS41C4100 | ISSI |
获取价格 |
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C4100-35J | ISSI |
获取价格 |
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C4100-35T | ICSI |
获取价格 |
1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IS41C4100-60J | ISSI |
获取价格 |
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C4100-60JI | ISSI |
获取价格 |
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44002 | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IS41C44002 | ISSI |
获取价格 |
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |