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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2-28/24 |
| 针数： | 28/24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 16 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8781824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 1097728 words |
| 字数代码： | 1072000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1072KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSOP24/28,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS26F160-3TE | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-3TER | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-3TI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-3TIR | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-3T-R | ISSI |
获取价格 |
Flash, 2144KX8, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-5T | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-5TE | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-5TER | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-5TI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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| IS26F160-5T-R | ISSI |
获取价格 |
Flash, 2144KX8, PDSO24, TSOP2-28/24 |
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