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IS26F160-5TER

更新时间: 2024-10-15 18:18:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 864K
描述
EEPROM, 16MX1, Serial, CMOS, PDSO24, TSOP2-28/24

IS26F160-5TER 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2-28/24Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最大时钟频率 (fCLK):16 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:80 °C
最低工作温度:-15 °C组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSOP
封装等效代码:TSOP24/28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行:SERIAL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.00001 A子类别:Flash Memories
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IS26F160-5TER 数据手册

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