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IS26F160-3T-R

更新时间: 2024-10-15 19:49:35
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 625K
描述
Flash, 2144KX8, PDSO24, TSOP2-28/24

IS26F160-3T-R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-28/24
针数:28/24Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最大时钟频率 (fCLK):8 MHz
数据保留时间-最小值:10耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:17563648 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:24字数:2195456 words
字数代码:2144000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2144KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP24/28,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL电源:3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.85 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

IS26F160-3T-R 数据手册

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