是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DDDR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS24C32-2GI | ISSI |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | |
IS24C32-2GL | ISSI |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 | |
IS24C32-2P | ISSI |
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EEPROM | |
IS24C32-2PI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
IS24C32-2PLI | ISSI |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8 | |
IS24C32-3 | ISSI |
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65,536-bit/32,768-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM | |
IS24C32-3G | ISSI |
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EEPROM | |
IS24C32-3GL | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 | |
IS24C32-3GLI | ISSI |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 | |
IS24C32-3P | ISSI |
获取价格 |
EEPROM |