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IS24C32-2P

更新时间： 2024-09-19 23:59:43
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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11页 84K
描述
EEPROM

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IS24C32-2P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz数据保留时间-最小值：100
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDDR
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e0
长度：9.325 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.57 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

IS24C32-2P 数据手册

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®
IS24C32-2/3  
IS24C64-2/3  
65,536-bit/32,768-bit 2-WIRE SERIAL  
CMOS EEPROM  
ISSI  
PRELIMINARY INFORMATION  
APRIL 2001  
FEATURES  
• Low Power CMOS Technology  
• 8-pin PDIP and 8-pin SOIC packages  
• Self time write cycle with auto clear  
– Standby Current less than 10 µA (5.5V)  
– Read Current (typical) less than 1 mA (5.5V)  
– Write Current (typical) less than 3 mA (5.5V)  
• Low Voltage Operation  
– 5 ms @ 2.5V  
• Organization:  
– IS24C64-2 and IS24C64-3: 8192x8  
– IS24C32-2 and IS24C32-3: 4096x8  
• 32-Byte Page Write Buffer  
• Two-Wire Serial Interface  
– Bi-directional data transfer protocol  
• HighReliability  
– IS24C64-2 & IS24C32-2: Vcc = 1.8V to 5.5V  
– IS24C64-3 & IS24C32-3: Vcc = 2.5V to 5.5V  
• 100 KHz (1.8V) and 400 KHz (5V) Compatibility  
• Hardware Data Protection  
– Write Protect Pin  
• Sequential Read Feature  
– Endurance: 1,000,000 Cycles  
– Data Retention: 100 Years  
• Commercial and Industrial temperature ranges  
• Filtered Inputs for Noise Suppression  
PRODUCT OFFERING OVERVIEW  
Part No  
Voltage  
1.8V-5.5V  
2.5V-5.5V  
1.8V-5.5V  
2.5V-5.5V  
Speed  
Standby ICC  
< 5 µA  
Read ICC  
1 mA  
Write ICC  
3 mA  
Temperature  
IS24C64-2  
IS24C64-3  
IS24C32-2  
IS24C32-3  
100 KHz  
400 KHz  
100 KHz  
400 KHz  
C,I  
C,I  
C,I  
C,I  
< 10 µA  
< 5 µA  
1 mA  
3 mA  
1 mA  
3 mA  
< 10 µA  
1 mA  
3 mA  
DESCRIPTION  
The IS24C64-2 is a 1.8V (1.8V-5.5V) 64K-bit (8192 x 8)  
Electrically Erasable PROM, IS24C64-3 is a 2.5V (2.5V-  
5.5V) 64K-bit (8192 x 8) Electrically Erasable PROM,  
IS24C32-2 is a 1.8V (1.8V-5.5V) 32K-bit (4096 x 8)  
Electrically Erasable PROM and the IS24C32-3 is a 2.5V  
(2.5V-5.5V) 32K-bit (4096 x 8) Electrically Erasable  
PROM.  
The IS24CXX (IS24C64-2, IS24C64-3, IS24C32-2 and  
IS24C32-3) family is a low-cost and low voltage 2-wire  
Serial EEPROM. It is fabricated using ISSI’s advanced  
CMOS EEPROM technology and provides a low power  
and low voltage operation. The IS24CXX family features  
a write protection feature, and is available in 8-pin DIP and  
8-pin SOIC packages.  
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the  
best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00B  
1
04/04/01  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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