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IS24C32-3PLI

更新时间： 2024-11-08 20:59:27

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美国芯成 - ISSI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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12页	48K
描述
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8

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IS24C32-3PLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.325 mm
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

IS24C32-3PLI 数据手册

IS24C32-2/3

IS24C64-2/3

65,536-bit/32,768-bit 2-WIRE SERIAL

CMOS EEPROM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

MARCH2004

FEATURES

• Low Power CMOS Technology

• 8-pin PDIP and 8-pin SOIC packages

• Self time write cycle with auto clear

– Standby Current less than 10 µA (5.5V)

– Read Current (typical) less than 1 mA (5.5V)

– Write Current (typical) less than 3 mA (5.5V)

• Low Voltage Operation

– 5 ms @ 2.5V

• Organization:

– IS24C64-2 and IS24C64-3: 8192x8

– IS24C32-2 and IS24C32-3: 4096x8

• 32-Byte Page Write Buffer

• Two-Wire Serial Interface

– Bi-directional data transfer protocol

• HighReliability

– IS24C64-2 & IS24C32-2: Vcc = 1.8V to 5.5V

– IS24C64-3 & IS24C32-3: Vcc = 2.5V to 5.5V

• 100 KHz (1.8V) and 400 KHz (5V) Compatibility

• Hardware Data Protection

– Write Protect Pin

• Sequential Read Feature

– Endurance: 1,000,000 Cycles

– Data Retention: 100 Years

• Commercial and Industrial temperature ranges

• Filtered Inputs for Noise Suppression

PRODUCT OFFERING OVERVIEW

Part No

Voltage

1.8V-5.5V

2.5V-5.5V

1.8V-5.5V

2.5V-5.5V

Speed

Standby ICC

< 5 µA

Read ICC

1 mA

Write ICC

3 mA

Temperature

IS24C64-2

IS24C64-3

IS24C32-2

IS24C32-3

100 KHz

400 KHz

100 KHz

400 KHz

C,I

< 10 µA

< 5 µA

1 mA

3 mA

1 mA

3 mA

< 10 µA

1 mA

3 mA

DESCRIPTION

The IS24C64-2 is a 1.8V (1.8V-5.5V) 64K-bit (8192 x 8)

Electrically Erasable PROM, IS24C64-3 is a 2.5V (2.5V-

5.5V) 64K-bit (8192 x 8) Electrically Erasable PROM,

IS24C32-2 is a 1.8V (1.8V-5.5V) 32K-bit (4096 x 8)

Electrically Erasable PROM and the IS24C32-3 is a 2.5V

(2.5V-5.5V) 32K-bit (4096 x 8) Electrically Erasable

PROM.

The IS24CXX (IS24C64-2, IS24C64-3, IS24C32-2 and

IS24C32-3) family is a low-cost and low voltage 2-wire

Serial EEPROM. It is fabricated using ISSI’s advanced

CMOS EEPROM technology and provides a low power

and low voltage operation. The IS24CXX family features

a write protection feature, and is available in 8-pin DIP and

8-pin SOIC packages.

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARYINFORMATION Rev. 00C

03/24/04

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS24C32A	ISSI	获取价格	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
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IS24C32A-2GLI	ISSI	获取价格	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
IS24C32A-2GLI-TR	ISSI	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8
IS24C32A-2P	ISSI	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
IS24C32A-2PI	ISSI	获取价格	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
IS24C32A-2PLI	ISSI	获取价格	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
IS24C32A-2SLI	ISSI	获取价格	64K-bit/32K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
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