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IRLI630ATU

更新时间： 2024-11-09 20:01:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	255K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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IRLI630ATU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	54 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLI630ATU 数据手册

IRLW/I630A

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 0.4Ω

I_D= 9 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

D²-PAK

I²-PAK

150 C Operating Temperature

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 200V

Lower R_DS(ON): 0.335 (Typ.)

Ω

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

5.7

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

6.9

V/ns

Total Power Dissipation (T_A=25°C)

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

3.1

P_D

0.55

W/°C

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

°C

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

1.81

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

62.5

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLI630G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLI630G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
IRLI630G-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-003PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-004PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-005	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-005PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-006	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI630G-006PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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