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IRLI630G-006PBF

更新时间： 2024-01-24 11:18:38

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威世 - VISHAY		/
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1页	46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLI630G-009PBF	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI630G-010	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI630G-010PBF	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI630G-011	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI630G-011PBF	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRLI630G-012	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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