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IRL640

更新时间： 2024-11-21 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1651K
描述
Power MOSFET

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IRL640 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：580 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL640 数据手册

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IRL640, SiHL640  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic-Level Gate Drive  
Available  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
VGS = 5.0 V  
0.18  
RoHS*  
66  
9.0  
COMPLIANT  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• Fast Switching  
Q
gd (nC)  
38  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost  
effectiveness.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFL640PbF  
SiHL640-E3  
IRFL640  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHL640  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Gate-Source Voltage  
VGS  
10  
V
TC = 25 °C  
TC =100°C  
17  
Continuous Drain Current  
VGS at 5.0 V  
ID  
A
11  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
68  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
580  
10  
EAR  
13  
125  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 3.0 mH, RG = 25 Ω IAS = 17 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 17 A, dI/dt ≤ 150 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91305  
S-Pending-Rev. A, 17-Jul-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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