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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PXFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 配置： | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | JESD-30 代码： | R-PXFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 314 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKTF200-02FK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
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| IRKTF200-02FKN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02FKNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02FKPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02FP | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|200V V(RRM)|200A I(T) |
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| IRKTF200-02FPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKTF200-02FPNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02GJ | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
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| IRKTF200-02GJPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element, POWER, MA |
|
| IRKTF200-02GK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
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