5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PXFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 18 µs | 配置： | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 400 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JESD-30 代码： | R-PXFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 314 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 30000 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKTF200-02FPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02FPNPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02GJ | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
|
| IRKTF200-02GJPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element, POWER, MA |
|
| IRKTF200-02GK | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
|
| IRKTF200-02GKPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element, POWER, MA |
|
| IRKTF200-02GP | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|200V V(RRM)|200A I(T) |
|
| IRKTF200-02GPPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element, POWER, MA |
|
| IRKTF200-02HJ | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
|
| IRKTF200-02HJNPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
