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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PXFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JESD-30 代码： | R-PXFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 444 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 30000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKTF200-02GP | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|200V V(RRM)|200A I(T) |
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| IRKTF200-02GPPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element, POWER, MA |
|
| IRKTF200-02HJ | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
|
| IRKTF200-02HJNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02HJPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02HK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Ele |
|
| IRKTF200-02HKN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF200-02HKPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKTF200-02HP | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|200V V(RRM)|200A I(T) |
|
| IRKTF200-02HPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element |
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