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IRKTF200-02HJ

更新时间： 2024-01-16 03:19:08

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element

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IRKTF200-02HJ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PXFM-X7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.92
其他特性：	FAST	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	25 µs	配置：	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率：	400 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	600 mA
JESD-30 代码：	R-PXFM-X7	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	8000 A
元件数量：	2	端子数量：	7
最大通态电流：	200000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	314 A	重复峰值关态漏电流最大值：	30000 µA
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRKTF200-02HJPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element
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IRKTF200-02HKN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element
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IRKTF200-02HP	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|200V V(RRM)\|200A I(T)
IRKTF200-02HPN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element
IRKTF200-02HPNPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 2 Element
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IRKTF200-04CJ	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Ele