5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNM57110
IRHNM57110 PDF预览

IRHNM57110

更新时间： 2024-11-23 11:10:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 222K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.2)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHNM57110 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：24 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A最大漏极电流 (ID)：6.9 A
最大漏源导通电阻：0.226 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：23 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：27.6 A
认证状态：Not Qualified参考标准：RH - 100K Rad(Si)
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：49 ns最大开启时间（吨）：14.6 ns
Base Number Matches：1

IRHNM57110 数据手册

 浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNM57110的Datasheet PDF文件第7页 
                                                                             
ꢁ
PD-97192B  
IRHNM57110  
JANSR2N7503U8  
100V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/743  
TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.2)  
5
Product Summary  
Part Number  
IRHNM57110  
IRHNM53110  
Radiation Level RDS(on)  
100K Rads (Si) 0.22Ω 6.9A JANSR2N7503U8  
300K Rads (Si) 0.22Ω 6.9A JANSF2N7503U8  
ID  
QPL Part Number  
SMD-0.2  
(METAL LID)  
Refer to Page 10 for 1 Additional Part Number -  
IRHNMC57110 (Ceramic Lid)  
International Rectifier’s R5TM technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications. These  
devices have been characterized for Single Event Effects  
(SEE) with useful performance up to an LET of 80 (MeV/  
(mg/cm2)). The combination of low RDS(on) and low gate  
charge reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Complimentary P-Channel Available -  
IRHNM597110, IRHNMC597110  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
6.9  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
4.4  
27.6  
23  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.18  
±20  
V
GS  
E
24  
mJ  
A
AS  
I
6.9  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
2.3  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
11.5  
-55 to 150  
T
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
300 (for 5s)  
Weight  
0.25 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/03/10  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IRHNM57110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNM57110SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 6.9A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
IRHNM57214SE INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRHNM57214SESCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 250V, 3.7A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
IRHNM58110 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNM593110 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHNM597110 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.2)
IRHNM9A3120 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 23A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 300 krad
IRHNM9A7120 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 23A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 krad
IRHNM9A7120SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 23A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 krad
IRHNMC53110 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRHNM57110相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证