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IRGC16B120KBPBF

更新时间： 2024-11-28 20:52:15

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英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 0.205 X 0.205 INCH, DIE-2

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IRGC16B120KBPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRGC16B120KBPBF 数据手册

PD - 94562

IRGC16B120KB

Die in Wafer Form

Features

1200V

I_C(nom)=15A

V_{CE(on) typ.}=2.55V@

GEN5 Non Punch Through (NPT) Technology

Low V_CE(on)

10µs Short Circuit Capability

Square RBSOA

Positive V_CE(on)Temperature Coefficient

_C(nom)@ 25°C

Motor Control IGBT

Short Circuit Rated

150mm Wafer

Benefits

Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

Rugged Transient Performance

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Reference Standard IR Package Part: GB15RF120K

Electrical Characteristics (Wafer Form)

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

Description

Guaranteed (min, max)

1.90V min, 2.35V max

1200V min

Test Conditions

I_C= 10A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 125µA, V_GE= 0V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C= 125µA

4.4V min, 6.0V max

7µA max

I_CES

T_J= 25°C, V_CE= 1200V

T_J= 25°C, V_GE= +/-20V

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

1.1µA max

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, (Thickness)

Nominal Front Metal Composition, (Thickness)

Dimensions

Al - Ti - Ni/V - Ag, (1kA - 1kA - 4kA - 6kA)

99% Al/1% Si, (4µm)

0.205" x 0.205"

Wafer Diameter

150mm, with std. < 100 > flat

185µm, +/-15µm

Wafer Thickness, Tolerance

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01-5566

100µm

Reject Ink Dot Size

0.25mm diameter minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300°C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Recommended Die Attach Conditions

Die Outline

5.207

[.205]

NOTES:

1. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].

2. CONTROLLING DIMENSION: [INCH].

3. LET TER DESIGNATION:

3.804

[.150]

S = SOURCE

G = GAT E

SK = SOURCE KELVIN

IS = CURRENT SENS E

E = EMITTER

4. DIMENSIONAL TOLERANCES:

BONDING PADS: < 0.635 T OLERANCE

+ /- 0.013

< [.0250] T OLERANCE = + /- [.0005]

> 0.635 T OLERANCE + /- 0.025

WIDT H

3.725 5.207

[.147][.205]

0.812

[.032]

EMITTER

LENGTH

> [.0250] T OLERANCE = + /- [.0010]

OVERALL DIE:

WIDTH

< 1.270 T OLERANCE = + /- 0.102

< [.050] TOLERANCE = + /- [.004]

> 1.270 T OLERANCE = + /- 0.203

> [.050] TOLERANCE = + /- [.008]

GAT E

2.045

[.081]

LENGTH

www.irf.com

10/16/02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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