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IRGC20B60KB

更新时间： 2024-11-26 21:22:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	14K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 150 MM, WAFER

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IRGC20B60KB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-XUUC-N	元件数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRGC20B60KB 数据手册

PD - 94375

IRGC20B60KB

Die in Wafer Form

Features

600V

• GEN5 Non Punch Through (NPT) Technology

• Low V_CE(on)

• 10µs Short Circuit Capability

• Square RBSOA

I_C(nom)= 20A

V_{CE(on) typ.}=1.82V @

I_C(nom)@ 25°C

MotorControlIGBT

Short Circuit Rated

• Positive V_CE(on)Temperature Coefficient

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

• Rugged Transient Performance

150mm Wafer

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Qualified for Industrial Market

Electrical Characteristics (Wafer Form)

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

Description

Guaranteed (min, max)

1.0V min, 1.3V max

600V min

TestConditions

I_C= 4A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 1mA, V_GE= 0V

V_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C= 250µA

T_J= 25°C, V_CE= 600V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

3.5V min, 5.5V max

20µA max

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

± 1.1µA max

T_J= 25°C, V_GE= +/-20V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, (Thickness)

Nominal Front Metal Composition, (Thickness)

Dimensions

Al - Ti - Ni/V - Ag, (1kA - 1kA - 4kA - 6kA)

99% Al/1% Si, (4µm)

0.170" x 0.175"

Wafer Diameter

150mm, with std. < 100 > flat

85µm, +/- 7µm

Wafer Thickness, Tolerance

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01-5518

100µm

Reject Ink Dot Size

0.25mm diameter minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300°C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Recommended Die Attach Conditions

Die Outline

4.32

NOT ES :

[.170]

1. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].

2. CONT ROLLING DIMENSION: [INCH].

3. LETTER DESIGNATION:

3.36

[.132]

S = SOURCE

G = GAT E

SK = SOURCE KELVIN

IS = CURRENTSENSE

E = EMITTER

4. DIMENSIONAL TOLERANCES:

BONDING PADS: < 0.635 TOLERANCE

+ /- 0.013

< [.0250] TOLERANCE = + /- [.0005]

> 0.635 TOLERANCE + /- 0.025

EMITTER

WIDT H

3.41 4.45

[.134][.175]

0.79

[.031]

LENGTH

> [.0250] TOLERANCE = + /- [.0010]

OVERALL DIE:

WIDTH

< 1.270 TOLERANCE = + /- 0.102

< [.050] TOLERANCE = + /- [.004]

> 1.270 TOLERANCE = + /- 0.203

> [.050] TOLERANCE = + /- [.008]

GAT E

2.01

[.079]

LENGTH

www.irf.com

04/19/02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGC20B60KBPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 150 MM, WAFER
IRGC25B120KB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| CHIP
IRGC25B120UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| CHIP
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