IRFZ14

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFZ14 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Samacsys Description：	IRFZ14 N-Channel MOSFET Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFZ14 数据手册

IRFZ14, SiHFZ14

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.20

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.1

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

5.8

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFZ14PbF

SiHFZ14-E3

IRFZ14

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ14

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage^f

Gate-Source Voltage^f

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

7.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

0.29

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

4.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V; starting T_J= 25 °C, L = 548 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91289

S-81366-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP60R165CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

与IRFZ14相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ14_11	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ14-001	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-003	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-005	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-005PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-006	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-006PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFZ14-009PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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