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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 47 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ14-029PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFZ14-030PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFZ14-031 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFZ14A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFZ14AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ14F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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