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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ14AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ14F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRFZ14FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRFZ14FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRFZ14FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRFZ14L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ14LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ14PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ14PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFZ14S | INFINEON |
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Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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