5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 雪崩能效等级（Eas）： | 86 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ14F | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| IRFZ14L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ14LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ14PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ14PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFZ14S | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S) |
|
| IRFZ14S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
