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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 29 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ10-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ10-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ10-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ10-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ10-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ10PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ12 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-220AB |
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| IRFZ12-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ12-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ12-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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