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IRFZ10PBF

更新时间： 2024-11-21 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 961K
描述
Power MOSFET

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IRFZ10PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.7雪崩能效等级（Eas）：47 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFZ10PBF 数据手册

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IRFZ10, SiHFZ10  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
• Dynamic dv/dt Rating  
Available  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.20  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
11  
3.1  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
5.8  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third Generation Power MOSFETs from Vishay provides the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost  
effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFZ10PbF  
SiHFZ10-E3  
IRFZ10  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ10  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
20  
UNIT  
Gate-Source Voltage  
VGS  
V
TC = 25 °C  
TC =100°C  
10  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
7.2  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
40  
Linear Derating Factor  
0.29  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
EAS  
PD  
47  
T
C = 25 °C  
43  
4.5  
W
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 1.8 mH, RG = 25 Ω, IAS = 7.2 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90363  
S-81393-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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与IRFZ10PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ12 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-220AB
IRFZ12-001 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-001PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-003PBF INFINEON

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 		5.9A, 50V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFZ12-006PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-009 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-009PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ12-010 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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