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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ12-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ12-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ12-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ12-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ12-013PBF | INFINEON |
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5.9A, 50V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFZ14 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFZ14 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ14_11 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ14-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFZ14-002PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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