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IRFW840ATM

更新时间： 2024-09-16 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 696K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFW840ATM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

IRFW840ATM 数据手册

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November 2001  
IRFW840B / IRFI840B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
8.0A, 500V, R  
= 0.8Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 41 nC)  
Low Crss ( typical 35 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
D2-PAK  
IRFW Series  
I2-PAK  
IRFI Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFW840B / IRFI840B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
8.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.1  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
32  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
320  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
8.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.4  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
134  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.08  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.93  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234567...9

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与IRFW840ATM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFW840B FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
IRFWI510A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
IRFWI520A FAIRCHILD

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IRFWI530A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
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IRFWZ10 ETC

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