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IRFU3707ZPBF

更新时间: 2024-11-23 21:54:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 262K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFU3707ZPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.88
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):42 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.0095 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):220 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFU3707ZPBF 数据手册

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PD - 95443A  
IRFR3707ZPbF  
IRFU3707ZPbF  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
9.5m  
30V  
9.6nC  
l Lead-Free  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRFR3707Z  
I-Pak  
IRFU3707Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
± 20  
56  
Gate-to-Source Voltage  
GS  
I
I
I
@ TC = 25°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ TC = 100°C  
39  
220  
50  
DM  
P
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
D
@TC = 100°C  
25  
0.33  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
Operating Junction and  
J
T
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
STG  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.0  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
50  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
110  
Notes  through are on page 11  
www.irf.com  
1
12/6/04  

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