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IRFU120N

更新时间： 2024-01-09 00:32:34

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科盛美 - KERSEMI		/
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10页	3737K
描述
Surface Mount (IRFR120N)

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IRFU120N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A
最大漏极电流 (ID)：	8.7 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU120N 数据手册

IRFR/U120N

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

R_D

V_DS

V_GS

D.U.T.

R_G

⁺V_DD

5.0V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

90%

100

125

150

175

, Case Temperature ( C)

10%

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

d(on)

d(off)

Case Temperature

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

0.1

Notes:

1. Duty factor D =

t / t

1 2

2. Peak T = P

x Z

+ T

thJC C

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.kersemi.com

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