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IRFU120N

更新时间： 2024-02-10 14:24:38

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IRFU120N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A
最大漏极电流 (ID)：	8.7 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR/U120N

Tape & Reel Information

TO-252AA

TR L

TRR

16.3 ( .641 )

15.7 ( .619 )

16.3 ( .641 )

15.7 ( .619 )

12.1 ( .476 )

11.9 ( .469 )

8.1 ( .318 )

7.9 ( .312 )

FEED DIRECTIO N

NO T ES :

1. CO NT RO LLING DIM EN SIO N : M ILLIM ET ER.

2. ALL DIM EN SIO NS ARE SH O W N IN M ILLIM ETERS ( INC HES ).

3. O UTLINE CO N FO RM S T O EIA-481 & EIA-541.

13 INC H

16 m m

NO TES :

1. O U TLINE CO NFO RM S TO EIA-481.

www.kersemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFU120NPBF	INFINEON	Fast Switching	获取价格
IRFU120NPBF	KERSEMI	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)	获取价格
IRFU120PBF	INFINEON	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =	获取价格
IRFU120PBF	VISHAY	IRFR120	获取价格
IRFU120PBF	KERSEMI	Power MOSFET	获取价格
IRFU120TR	INFINEON	HEXFET POWER MOSFET	获取价格