IRFR3711TR

更新时间： 2024-01-26 02:22:56

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	239K
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TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-252AA

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IRFR3711TR 数据手册

IRFR/U3711

1000

100

1000

100

VGS

15V

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

TOP

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

2.7V

20µs PULSE WIDTH

T = 150 C

20µs PULSE WIDTH

T = 25 C

0.1

100

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

1000

2.0

110A

T = 25 C

1.5

1.0

0.5

0.0

T = 150 C

100

= 25V

=10V

20µs PULSE WIDTH

2.0

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

3.0

4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

T , Junction Temperature ( C)

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

www.irf.com

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IRFR3711TRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFR3711TRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFR3711TRR	INFINEON	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-252AA	获取价格
IRFR3711TRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFR3711Z	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格