5秒后页面跳转
IRFI9Z14G-029PBF PDF预览

IRFI9Z14G-029PBF

更新时间: 2024-09-14 21:18:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRFI9Z14G-029PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFI9Z14G-029PBF 数据手册

  

与IRFI9Z14G-029PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI9Z14G-030 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFI9Z14G-030PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFI9Z14G-031 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFI9Z14G-031PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFI9Z14GPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFI9Z24G VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFI9Z24G INFINEON

获取价格

HEXFET POWER MOSFET
IRFI9Z24G-002PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9Z24G-003 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9Z24G-004PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met