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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9640G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-031PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-107 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRFI9640GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9640GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI9Z14G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9Z14G | INFINEON |
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HEXFET-R POWER MOSFET |
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| IRFI9Z14G-003 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI9Z14G-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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