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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.57 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI1310G-018 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-018PBF | INFINEON |
获取价格 |
21A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1310G-019 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI1310G-019PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-024PBF | INFINEON |
获取价格 |
21A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1310G-030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-030PBF | INFINEON |
获取价格 |
21A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1310G-031 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A) |
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| IRFI1310N-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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