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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI1010N-112PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1010NPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI1310G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A) |
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| IRFI1310G-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-005PBF | INFINEON |
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21A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1310G-006 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI1310G-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
21A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1310G-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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