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IRFHS8342TRPBF

更新时间： 2024-02-17 03:39:11
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 263K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFHS8342TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.38外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHS8342TRPBF 数据手册

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IRFHS8342PbF  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
I
= 8.5A  
D
Vgs = 4.5V  
T
= 125°C  
J
Vgs = 10V  
T
= 25°C  
15  
J
0
5
10  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
I , Drain Current (A)  
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
D
GS,  
Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current  
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
1E-5  
1E-4  
1E-3  
1E-2  
1E-1  
1E+0  
Time (sec)  
Fig 14. Typical Power vs. Time  
Driver Gate Drive  
P.W.  
P.W.  
Period  
Period  
D =  
D.U.T  
+
*
=10V  
V
GS  
ƒ
CircuitLayoutConsiderations  
• Low Stray Inductance  
• Ground Plane  
• Low Leakage Inductance  
Current Transformer  
-
D.U.T. I Waveform  
SD  
+
‚
-
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
„
Current  
di/dt  
-
+
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  

V
DD  
VDD  
Re-Applied  
Voltage  
• dv/dtcontrolledbyRG  
RG  
+
-
Body Diode  
Forward Drop  
• Driver same type as D.U.T.  
• ISD controlled by Duty Factor "D"  
• D.U.T. - Device Under Test  
Inductor Curent  
I
SD  
Ripple ≤ 5%  
* VGS = 5V for Logic Level Devices  
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel  
HEXFET® Power MOSFETs  
www.irf.com  
5
123456789

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IRFHS8342TRPBF 替代型号

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