5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFHS8342TRPBF
IRFHS8342TRPBF PDF预览

IRFHS8342TRPBF

更新时间： 2024-01-28 16:35:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 263K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFHS8342TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.38外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHS8342TRPBF 数据手册

 浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFHS8342TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFHS8342PbF  
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
VGS = 0V, ID = 250μA  
––– mV/°C Reference to 25°C, ID = 1mA  
BVDSS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
Static Drain-to-Source On-Resistance  
30  
–––  
–––  
–––  
1.35  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
18  
–––  
–––  
V
ΔΒVDSS/ΔTJ  
RDS(on)  
22  
13  
16  
25  
V
GS = 10V, ID = 8.5A  
GS = 4.5V, ID = 6.8A  
mΩ  
20  
V
VGS(th)  
ΔVGS(th)  
IDSS  
Gate Threshold Voltage  
1.8  
-5.8  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
4.2  
8.7  
1.5  
1.3  
1.9  
5.9  
15  
2.35  
V
VDS = VGS, ID = 25μA  
Gate Threshold Voltage Coefficient  
Drain-to-Source Leakage Current  
––– mV/°C  
1.0  
μA  
VDS = 24V, VGS = 0V  
150  
VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C  
IGSS  
Gate-to-Source Forward Leakage  
Gate-to-Source Reverse Leakage  
Forward Transconductance  
Total Gate Charge  
100  
nA  
V
GS = 20V  
GS = -20V  
-100  
V
gfs  
Qg  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
S
VDS = 10V, ID = 8.5A  
nC VGS = 4.5V, VDS = 15V, ID = 8.5A  
DS = 15V  
VGS = 10V  
D = 8.5A (See Fig. 6 & 16)  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Qg  
V
Total Gate Charge  
Qgs  
Qgd  
RG  
td(on)  
tr  
nC  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain Charge  
Gate Resistance  
I
Ω
–––  
–––  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
VDD = 15V, VGS = 4.5V  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
ID = 8.5A  
RG=1.8Ω  
See Fig.17  
VGS = 0V  
ns  
pF  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
5.2  
5.0  
600  
100  
46  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
VDS = 25V  
ƒ = 1.0MHz  
Diode Characteristics  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
D
IS  
Continuous Source Current  
MOSFET symbol  
–––  
–––  
8.5  
G
showing the  
integral reverse  
(Body Diode)  
Pulsed Source Current  
A
S
ISM  
–––  
–––  
76  
p-n junction diode.  
(Body Diode)  
VSD  
trr  
T = 25°C, I = 8.5A , V = 0V  
Diode Forward Voltage  
–––  
–––  
–––  
–––  
11  
1.0  
17  
20  
V
J
S
GS  
T = 25°C, I = 8.5A , VDD = 13V  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Forward Turn-On Time  
ns  
nC  
J
F
Qrr  
ton  
di/dt = 330 A/μs  
13  
Time is dominated by parasitic Inductance  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Max.  
13  
90  
60  
42  
Units  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case  
RθJC (Bottom)  
RθJC (Top)  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
Rθ  
JA  
Junction-to-Ambient (<10s)  
Rθ  
JA  
Notes:  
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.  
‚Current limited by package.  
ƒPulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.  
„When mounted on 1 inch square copper board  
ꢀR is measured at TJ of approximately 90°C.  
θ
2
www.irf.com  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRFHS8342TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMA7632 FAIRCHILD

功能相似

 Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9
IRFHS8342TR2PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与IRFHS8342TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFHS9301 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFHS9301PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFHS9301TR2PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFHS9301TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFHS9351 INFINEON

获取价格

 		Small PowIR MOSFETs
IRFHS9351PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFHS9351TR2PBF INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFHS9351TRPBF INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI064 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)
IRFI064D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-259VAR

与IRFHS8342TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证