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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD123PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD123R | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| IRFD1Z0 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD1Z0 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFD1Z1 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD1Z2 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD1Z3 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD210 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFD210 | INTERSIL |
获取价格 |
0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFD210 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.60A) |
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