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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 0.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF710R | ROCHESTER |
获取价格 |
2A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF710R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
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| IRF710S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF710S, SiHF710S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF710SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF710STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF710STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF710STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF710STRR | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF710STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
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