IRF540NSTRR

更新时间： 2024-01-31 11:49:57

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Advanced Process Technology

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IRF540NSTRR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.0265 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	92 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRF540NSTRR 数据手册

IRF540NS/LPbF

1000

100

1000

100

VGS

15V

VGS

15V

TOP

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

4.5V

20µs PULSE WIDTH

T = 175 C

T = 25 C

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

1000

3.5

33A

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

T = 25 C

100

T = 175 C

= 50V

20µs PULSE WIDTH

= 10V

4.0

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

5.0

6.0

7.0 8.0

9.0

T , Junction Temperature ( C)

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 4. Normalized On-Resistance

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Vs. Temperature

www.irf.com

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