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IR390LM10CS05

更新时间： 2024-09-16 21:01:15

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威世 - VISHAY		快速恢复二极管
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4页	52K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, 4 INCH, WAFER

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IR390LM10CS05 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	4 INCH, WAFER	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.58
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N1	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.5 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IR390LM10CS05 数据手册

Bulletin I0113J 05/00

IR390LM..CS05CB SERIES

FAST RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 390 x 270 mils

V_RRMClass:

1000 to 1200 V

PassivationProcess:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: 80EPF Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

TestConditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1300mV

T_J= 25°C, I_F= 80 A

V_RRMReverse BreakdownVoltageRange

1000 to1200V T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

(1) Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

NominalFrontMetalComposition, Thickness

ChipDimensions

390 x 270 mils (9.91x6.86 mm) - see drawing

100 mm, with std. < 110 > flat

260 µm

WaferDiameter

WaferThickness

MaximumWidthofSawingLine

Reject Ink Dot Size

45 µm

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer, indessicated

nitrogen,withnocontamination

Document Number: 93850

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IR390LM10CS05CB	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER
IR390LM10CS05CB	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, 4 INCH, WAFER
IR390LM10CS05CBPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER
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