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IR230DM12CCBPBF

更新时间： 2024-01-12 21:13:26

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

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IR230DM12CCBPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.72	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XUUC-N
元件数量：	1	相数：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

IR230DM12CCBPBF 数据手册

Bulletin I0121J rev. A 02/97

IR230DM12CCB

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Square 230 mils

V_RRMClass:

1200 V

Passivation Process:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: 40EPS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

1050 mV

1200 V

TestConditions

V_FM

Maximum Forward Voltage

T_J= 25°C, I_F= 20 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage

T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

230 x 230 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm, ± 10 µm

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

45 µm

0.25 mm diameter minimum

Seedrawing

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Storage in original container, in dessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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