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IR230SG12HPBF PDF预览

IR230SG12HPBF

更新时间： 2024-02-04 05:42:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
3页 108K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(RRM), 1 Element, 0.230 X 0.230 INCH, DIE-2

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IR230SG12HPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.40风险等级：5.19
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：60 mA
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

IR230SG12HPBF 数据手册

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Bulletin I0205J 07/98  
IR230SG..HCB SERIES  
PHASE CONTROL THYRISTORS  
Junction Size:  
Wafer Size:  
Square 230 mils  
4"  
VRRM Class:  
600 and 1200 V  
Passivation Process:  
Glassivated MESA  
Reference IR Packaged Part: n. a.  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
Units  
Test Conditions  
VTM  
Maximum On-state Voltage  
1.3 V  
TJ = 25°C, IT = 25 A  
VRRM ReverseBreakdownVoltage  
600and1200V TJ = 25°C, IRRM = 100 µA  
(1)  
IGT  
VGT  
IH  
Max.RequiredDCGateCurrenttoTrigger  
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger  
HoldingCurrentRange  
60mA  
1.9 V  
TJ=25°C,anodesupply=6V,resistiveload  
TJ =25°C, anodesupply=6V, resistiveload  
Anodesupply=6V, resistiveload  
5to150mA  
400mA  
IL  
MaximumLatchingCurrent  
Anodesupply=6V, resistiveload  
(1) Nitrogen flow on die edge.  
Mechanical Characteristics  
Nominal Back Metal Composition, Thickness  
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)  
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)  
230 x 230 mils (see drawing)  
100 mm, with std. < 100 > flat  
370 µm ± 10 µm  
Nominal Front Metal Composition, Thickness  
ChipDimensions  
Wafer Diameter  
Wafer Thickness  
Maximum Width of Sawing Line  
Reject Ink Dot Size  
130µm  
0.25mmdiameterminimum  
Seedrawing  
InkDotLocation  
RecommendedStorageEnvironment  
Storageinoriginalcontainer, indessicated  
nitrogen,withnocontamination  
www.irf.com  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IR230SG-G01PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element
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 		Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
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