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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR2113E6
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IR2113E6

更新时间： 2024-01-25 22:22:41
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英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 128K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2113E6 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：LCC
包装说明：QCCN,针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-CQCC-N16长度：8.955 mm
功能数量：1端子数量：16
标称输出峰值电流：2 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：3.22 mm最大供电电压：20 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：420 V电源电压1-分钟：6 V
电源电压1-Nom：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40断开时间：220 µs
接通时间：260 µs宽度：7.305 mm

IR2113E6 数据手册

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Temperature (°C)  
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Temperature (°C)  
VCC Fixed Supply Voltage (V)  
Figure 18A. VCC Supply Current vs. Temperature  
Figure 18B. VCC Supply Current vs. Voltage  
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www.irf.com  
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