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IR2114SSPBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管栅极驱动PC
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33页 666K
描述
HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

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IR2114SSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, MO-150AH, SSOP-24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：0.83
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：783708Samacsys Pin Count：24
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SSOP-24Samacsys Released Date：2017-06-20 11:52:00
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：NAND GATE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e3长度：8.2 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：24最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装等效代码：SSOP24,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：11.5 V
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.66 µs
接通时间：0.66 µs宽度：5.3 mm
Base Number Matches：1

IR2114SSPBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60213 revG  
IR2114SSPbF/IR21141SSPbF  
IR2214SSPbF/IR22141SSPbF  
HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC  
Features  
Product Summary  
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•
Floating channel up to +600 V or +1200 V  
Soft over-current shutdown  
600 V or  
1200 V max.  
VOFFSET  
Synchronization signal to synchronize shutdown with the other phases  
Integrated desaturation detection circuit  
Two stage turn on output for di/dt control  
Separate pull-up/pull-down output drive pins  
Matched delay outputs  
IO+/- (min)  
VOUT  
Deadtime matching (max)  
Deadtime (typ)  
Desat blanking time (typ)  
DSH, DSL input voltage  
threshold (typ)  
1.0 A / 1.5 A  
10.4 V – 20 V  
75 ns  
330 ns  
3 µs  
Undervoltage lockout with hysteresis band  
LEAD-FREE  
8.0 V  
Description  
Soft shutdown time (typ)  
9.25 µs  
The IR211(4,41)/IR221(4,41) gate driver family is suited to drive a single half  
bridge in power switching applications. These drivers provide high gate driving  
capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which allows  
the use of bootstrap power supply techniques in medium power systems. These  
drivers feature full short circuit protection by means of power transistor  
desaturation detection and manage all half-bridge faults by smoothly turning off  
the desaturated transistor through the dedicated soft shutdown pin, therefore  
preventing over-voltages and reducing EM emissions. In multi-phase systems,  
the IR211(4,41)/ IR221(4,41) drivers communicate using a dedicated local  
network (SY_FLT and FAULT/SD signals) to properly manage phase-to-phase  
short circuits. The system controller may force shutdown or read device fault  
state through the 3.3 V compatible CMOS I/O pin (FAULT/SD). To improve the  
signal immunity from DC-bus noise, the control and power ground use dedicated  
pins enabling low-side emitter current sensing as well. Undervoltage conditions  
in floating and low voltage circuits are managed independently.  
Package  
24-Lead SSOP  
Typical connection  
DC+  
VCC  
VB  
15 V  
HOP  
HON  
SSDH  
LIN  
HIN  
DSH  
VS  
DC BUS  
uP,  
Motor  
FAULT/SD  
FLT_CLR  
SY_FLT  
Control  
(Up to 1200 V)  
LOP  
LON  
SSDL  
DSL  
COM  
VSS  
DC-  
www.irf.com  
1
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IR2114SSPBF 替代型号

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 HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC
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