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IQE006NE2LM5CGSC

更新时间： 2023-09-03 20:33:40

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英飞凌 - INFINEON		PC
页数	文件大小	规格书
13页	1577K
描述
英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 25 V：IQE006NE2LM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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IQE006NE2LM5CGSC 数据手册

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5CGSC

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

V_GS=0ꢀV,ꢀI_D=1ꢀmA

1.2

1.6

2.0

V_DS=V_GS,ꢀI_D=250ꢀµA

0.1

1.0

100

V_DS=20ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_DS=20ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=125ꢀ°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

I_DSS

µA

I_GSS

100

V_GS=16ꢀV,ꢀV_DS=0ꢀV

0.49

0.64

0.58

0.75

V_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

V_GS=4.5ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

R_DS(on)

mΩ

Gate resistance¹⁾

Transconductance

R_G

g_fs

0.8

1.2

Ω

260

|V_DS|≥2|I_D|R_DS(on)max,ꢀI_D=30ꢀA

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance¹⁾

Output capacitance¹⁾

Reverse transfer capacitance¹⁾

C_iss

C_oss

C_rss

4100 5453 pF

1700 2261 pF

V_GS=0ꢀV,ꢀV_DS=12ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz

130

5.3

195

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

2.6

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-off delay time

Fall time

27.0

5.3

V_DD=12ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics²⁾ꢀ

Values

Typ.

9.2

6.6

5.6

8.2

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

12.2

Gate to source charge

Gate charge at threshold

Gate to drain charge¹⁾

Switching charge

Q_gs

V_DD=12ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV

V_DD=12ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

V_DS=0.1ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

Q_g(th)

Q_gd

8.4

Q_sw

Gate charge total¹⁾

Q_g

Gate plateau voltage

Gate charge total¹⁾

V_plateau

Q_g

2.2

Gate charge total, sync. FET

Output charge¹⁾

Q_g(sync)

Q_oss

V_DS=12ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV

¹⁾Defined by design. Not subject to production test.

²⁾See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

1 2 345 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IQE006NE2LM5SC	INFINEON	英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置	获取价格
IQE008N03LM5	INFINEON	IQE008N03LM5 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。 OptiMOS™ 5	获取价格
IQE008N03LM5CG	INFINEON	IQE008N03LM5CG 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。 OptiMOS™	获取价格
IQE008N03LM5CGSC	INFINEON	The IQE008N03LM5CGSC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Sour	获取价格
IQE008N03LM5SC	INFINEON	The IQE008N03LM5SC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Source	获取价格
IQE013N04LM6	INFINEON	IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MO	获取价格

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