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IQE065N10NM5

更新时间： 2023-09-03 20:32:21

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		PC 电机栅驱动服务器电信栅极
页数	文件大小	规格书
12页	1436K
描述
IQE65N10NM5 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使源极底置概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括电机驱动、电信、 SMPS 或服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

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IQE065N10NM5 数据手册

IQE065N10NM5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

PG-TSON-8-4

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Pin 1

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

6.5

Unit

Gate

Pin 4

V_DS

Source

Pin 1-3

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IQE065N10NM5

PG-TSON-8-4

06510N5

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2021-12-01

12 3 4 5 6 7...12

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