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IQE046N08LM5CGSC

更新时间： 2023-09-03 20:31:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅
页数 文件大小 规格书
11页 1300K
描述
IQE046N08LM5CGSC is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) dual-side cooling (DSC) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C , superior thermal performance, and optimized parallelization. The OptiMOS™ Source-Down is a revolutionary design with a flipped silicon die inside, which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density and improved layout possibilities. Combined with the innovative dual-side cooling package, which can dissipate up to three times more power than the traditional overmolded package, IQE046N08LM5CGSC is targeted for high power density and performance SMPS products commonly found in telecom and data servers

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IQE046N08LM5CGSC  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV  
PG-WHTFN-9  
5
6
Features  
7
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
9
Pin 1  
4
2
3
3
2
4
1
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Drain  
Pin 5-8  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
*1  
Gate  
Pin 9  
Parameter  
Value  
Unit  
Source  
Pin 1-4  
VDS  
80  
V
*1: Internal body diode  
RDS(on),max@10V  
RDS(on),max@4.5V  
ID  
4.6  
5.9  
99  
mΩ  
mΩ  
A
Qoss  
39  
nC  
nC  
QGꢀ(0V...4.5V)  
19  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IQE046N08LM5CGSC  
PG-WHTFN-9  
R
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2023-01-12  
1234567...11

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