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| 英飞凌 - INFINEON |  |
PC电机栅驱动服务器电信栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 1863K |  |
| 描述 | ||
| IQE008N03LM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IQE008N03LM5CGSC | INFINEON |
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The IQE008N03LM5CGSC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Sour |
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| IQE008N03LM5SC | INFINEON |
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The IQE008N03LM5SC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Source |
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| IQE013N04LM6 | INFINEON |
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IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MO |
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| IQE013N04LM6CG | INFINEON |
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IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MO |
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| IQE013N04LM6CGSC | INFINEON |
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英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 |
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| IQE013N04LM6SC | INFINEON |
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英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 |
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| IQE022N06LM5 | INFINEON |
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IQE022N06LM5 is Infineon’s new best-in-class |
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| IQE022N06LM5CG | INFINEON |
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IQE022N06LM5CG is Infineon’s new best-in-clas |
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| IQE022N06LM5CGSC | INFINEON |
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IQE022N06LM5CGSC is Infineon’s new best-in-cl |
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| IQE022N06LM5SC | INFINEON |
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