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IPW90R120C3FKSA1

更新时间： 2024-11-16 20:03:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 548K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPW90R120C3FKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：6.04
雪崩能效等级（Eas）：1940 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPW90R120C3FKSA1 数据手册

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IPW90R120C3  
CoolMOS™ Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @ T J=25°C  
0.12  
Ω
Q g,typ  
270 nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Worldwide best R DS,on in TO247  
PG-TO247  
• Ultra low gate charge  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPW90R120C3  
PG-TO247  
9R120C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
36  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
23  
Pulsed drain current2)  
96  
I D,pulse  
E AS  
I D=8.8 A, V DD=50 V  
I D=8.8 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
1940  
2.9  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
8.8  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
417  
-55 ... 150  
60  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 1.0  
2008-07-30  
Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009-134-A  
1234567...11

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与IPW90R120C3FKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPW90R120C3XKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IPW90R1K0C3 INFINEON

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 		CoolMOS Power Transistor
IPW90R1K0C3FKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		CoolMOS? Power Transistor
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