是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 8.43 |
雪崩能效等级(Eas): | 485 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏源导通电阻: | 0.19 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 66 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPW65R190C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPW65R190C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPW65R190CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 | |
IPW65R190CFD7A | INFINEON |
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TO-247 引脚封装中的 190mOhm IPW65R190CFD7A是汽车级认证 65 | |
IPW65R190E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor | |
IPW65R230CFD7A | INFINEON |
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The 230mOhm IPW65R230CFD7A in TO-247 package is part of the automotive-qualified 650V Cool | |
IPW65R280C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPW65R280C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPW65R280E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor | |
IPW65R310CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |