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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.51 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPW07N60CFD | INFINEON |
类似代替  |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW65R660CFDFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPW65R660CFDXK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPW80R280P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPW80R290C3A | INFINEON |
获取价格 |
The CoolMOS™ C3A technology was designed to m |
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| IPW80R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
|
| IPW90R120C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW90R120C3FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW90R120C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPW90R1K0C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW90R1K0C3FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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